| 主权项 |
一种电子发射元件的制作方法，包括：提供一基板，该基板具有彼此相对的一第一侧与一第二侧；于该基板的该第一侧形成一第一电极图案层；于该基板与该第一电极图案层上形成一导电图案层，该导电图案层部分覆盖该第一电极图案层；于该导电图案层中形成一电子放射区域；以及于该基板的该第二侧形成一第二电极图案层，且该第二电极图案层部分覆盖该导电图案层，其中，该导电图案层覆盖该第一电极图案层的边缘处具有一段差，该电子放射区域是形成在该段差处的该导电图案层中。如申请专利范围第1项所述之电子发射元件的制作方法，其中形成该电子放射区域的制程包括：提供一反应气体，使该导电图案层的体积膨胀；以及移除该反应气体，使该导电图案层的体积收缩。如申请专利范围第2项所述之电子发射元件的制作方法，其中该反应气体是选自于氢、甲烷、碳氢化合物及其组合。如申请专利范围第2项所述之电子发射元件的制作方法，其中该反应气体的压力介于0~100 bar之间。如申请专利范围第1项所述之电子发射元件的制作方法，其中形成该电子发射区域的制程温度介于50K~1,273K之间。如申请专利范围第1项所述之电子发射元件的制作方法，其中该电子发射区域包括一裂缝。如申请专利范围第6项所述之电子发射元件的制作方法，其中该裂缝的宽度介于5奈米~1,000奈米之间。如申请专利范围第1项所述之电子发射元件的制作方法，其中该基板的材质包括玻璃或矽。如申请专利范围第1项所述之电子发射元件的制作方法，其中在形成该第一电极图案层之前，更包括于该基板上形成一绝缘层。如申请专利范围第9项所述之电子发射元件的制作方法，其中该绝缘层的材质包括二氧化矽或氧化铝。如申请专利范围第1项所述之电子发射元件的制作方法，其中该第一电极图案层与该第二电极图案层的材质是选自于铂、钽、钛、铝、铜、银、金及其合金组合。如申请专利范围第1项所述之电子发射元件的制作方法，其中该导电图案层的材质是选自于钯、铂、金、钨、铑、铱、铝、钛、钒、镓、钇、锆、铌、钼、钯、银、镉、锡、钽、镧、铈、钕、钆及其金属氧化物(metal oxides)、金属氮化物(metal nitrides)、金属错合氧化物(metal complex oxides)与金属错合合金(metal complex alloy)。如申请专利范围第1项所述之电子发射元件的制作方法，更包括形成一接着层，该接着层是介于该基板与该第一电极图案层之间、该基板与该第二电极图案层之间、该导电图案层与该第二电极图案层之间的至少其中之一。如申请专利范围第13项所述之电子发射元件的制作方法，其中该接着层的材质是选自于钛、氮化钛、组、氮化钽及其组合。一种电子发射元件，包括：一基板，该基板具有彼此相对的一第一侧与一第二侧；一第一电极图案层，设置于该基板的该第一侧；一导电图案层，设置于该基板与该第一电极图案层上，该导电图案层部分覆盖该第一电极图案层，其中，该导电图案层中具有一电子放射区域；以及一第二电极图案层，设置于该基板的该第二侧，且该第二电极图案层部分覆盖该导电图案层，其中，该导电图案层覆盖该第一电极图案层的边缘处具有一段差，该电子放射区域是设置在该段差处的该导电图案层中。如申请专利范围第15项所述之电子发射元件，其中该电子发射区域包括一裂缝。如申请专利范围第16项所述之电子发射元件，其中该裂缝的宽度介于5奈米~1,000奈米之间。如申请专利范围第15项所述之电子发射元件，其中该基板的材质包括玻璃或矽。如申请专利范围第15项所述之电子发射元件，更包括一绝缘层，设置于该基板上。如申请专利范围第19项所述之电子发射元件，其中该绝缘层的材质包括二氧化矽或氧化铝。如申请专利范围第15项所述之电子发射元件，其中该第一电极图案层与该第二电极图案层的材质是选自于铂、钽、钛、铝、铜、银、金及其合金组合。如申请专利范围第15项所述之电子发射元件，其中该导电图案层的材质是选自于钯、铂、金、钨、铑、铱、铝、钛、钒、镓、钇、锆、铌、钼、钯、银、镉、锡、钽、镧、铈、钕、钆及其金属氧化物(mctal oxides)、金属氮化物(metal nitrides)、金属错合氧化物(metal complex oxides)与金属错合合金(metal complex alloy)。如申请专利范围第15项所述之电子发射元件，更包括一接着层，该接着层是设置于该基板与该第一电极图案层之间、该基板与该第二电极图案层之间、该导电图案层与该第二电极图案层之间的至少其中之一。如申请专利范围第23项所述之电子发射元件，其中该接着层的材质是选自于钛、氮化钛、钽、氮化钽及其组合。 |
