| 主权项 |
一种用于将一覆盖基板结合至一基底基板之方法，其包含：提供一覆盖基板，该覆盖基板具有延伸穿过该覆盖基板之复数个通气孔；以及密封该覆盖基板至该基底基板以形成复数个经密封之空腔及在该复数个经密封之空腔周围的至少一通气空腔，密封除了该延伸穿过该覆盖基板之通气孔以外之该通气空腔。如请求项1之方法，其进一步包含：藉由一插入层将该覆盖基板之至少一部分与该基底基板之至少一部分分离；其中提供该复数个通气孔以延伸穿过该覆盖基板及穿过该插入层；其中密封该覆盖基板至该基底基板包括密封该基底基板周围之第一密封周边，以及在该第一密封周边内密封复数个第二密封周边；以及在密封该覆盖基板至该基底基板后密封该等通气孔。如请求项1或2之方法，其中提供延伸穿过该覆盖基板之复数个通气孔包含提供能够释放与将该覆盖基板结合至该基底基板相关联之气压的通气孔。如请求项1或2之方法，其中密封该覆盖基板至该基底基板包含密封一覆盖基板至包含复数个半导体器件之一半导体晶圆；以及其中在该第一密封周边内密封复数个第二密封周边包含密封各半导体器件之至少一部分周围的一周边。如请求项1或2之方法，其中密封该覆盖基板至该基底基板包含密封玻璃至该基底基板。如请求项1或2之方法，其中密封该覆盖基板至该基底基板包含密封一覆盖基板至包含复数个半导体器件之一半导体晶圆。如请求项6之方法，其中提供延伸穿过该覆盖基板之复数个通气孔包含提供由一非功能性半导体器件在外部形成的至少一个通气孔。如请求项6之方法，其中密封一覆盖基板至一半导体晶圆包含密封各半导体器件之至少一部分周围的一周边。如请求项8之方法，其中提供延伸穿过该覆盖基板之复数个通气孔包含在各半导体器件之至少一部分周围的该等密封周边外部提供复数个通气孔。一种装置，其包含：一基底基板；一覆盖基板，其包含藉由一或多个厚区域隔开之一或多个薄区域，在该厚区域处密封该覆盖基板至该基底基板以形成对应该薄区域之一或多个空腔，该覆盖基板系形成为具有延伸穿过该覆盖基板之该厚区域之复数个通气孔且不与该空腔相通；以及一密封剂，其封闭该复数个通气孔之每一者。如请求项10之装置，其中该覆盖基板包含玻璃；其中该基底基板包含一半导体晶圆，该半导体晶圆包括复数个半导体器件。如请求项11之装置，其中在至少部分藉由将该覆盖基板耦合至该基底基板之一密封剂形成的一空腔内密封各半导体器件之至少一部分。如请求项11之装置，其中每一通气孔位于每一空腔外部。如请求项11、12或13之装置，其中从一非功能性半导体器件外部布置至少一个通气孔。如请求项11、12或13之装置，其中该复数个半导体器件包含复数个数位微镜器件。 |
