| 主权项 |
一种用于制造半导体之光阻剥除剂组成物，其包含3~20重量%之联胺水合物或选自由烷基(C1~C5)-取代之一级胺、二级胺或三级胺所组成之群组的烷基胺化合物；20~40重量%之极性溶剂；0.01~3重量%之腐蚀抑制剂，其系选自由咪唑衍生物、硫化物衍生物、亚碸衍生物、芳香族化合物或具有羟基之芳香族化合物所组成之群组；0.01~5重量%之选自由丁醇、乙醇、异丙醇、丙醇、庚醇、辛醇、癸醇、苯甲醇、异己醇或异辛醇所组成之群组的单醇化合物；和40~70重量%之去离子水。如申请专利范围第1项之光阻剥除剂组成物，其中该极性溶剂为一或多种选自由N-甲基吡咯啶酮(NMP)、二甲亚碸(DMSO)、N,N-二甲基乙醯胺(DMAc)、单甲基甲醯胺、2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇、乙二醇单正丙醚、2-丁氧基乙醇或甲氧基丙基乙酸酯(PGMEA)所组成之群组的化合物。如申请专利范围第1项之光阻剥除剂组成物，其中该腐蚀抑制剂为一或多种选自由1-乙胺基-2-十八基咪唑、二-第二-丁基硫醚、二苯基亚碸、苯甲酸、m-甲基苯甲酸、p-甲基苯甲酸、苯乙酸、2-乙基苯甲酸、3-乙基苯甲酸、2,3,5-三甲基苯甲酸、桂皮酸、氢桂皮酸、4-甲基桂皮酸、水杨酸、2-异丙基苯甲酸、3-异丙基苯甲酸、4-异丙基苯甲酸、苯丁酸、2,4-二甲基苯基乙酸、2-(4-甲基苯基)丙酸、4-丙基苯甲酸、4-乙基苯基乙酸、3-苯基丁酸、3-(2-甲基苯基)丙酸、3-(3-甲基苯基)丙酸、p-甲基氢桂皮酸、3-丙基苯甲酸、甲酚、五倍子酸、五倍子酸甲酯、五倍子酚、羟基对苯二酚、phloroglacinol、resorcinaol或氢醌所组成之群组的化合物。如申请专利范围第1至3项中任一项之光阻剥除剂组成物，其中该组成物更包含整个组成物之0.01~3重量%的铵盐化合物。如申请专利范围第4项之光阻剥除剂组成物，其中该铵盐化合物为一或多种选自由苯甲酸铵(C6H5CO2NH4)、碳酸铵((NH4)2CO3)、氢氧化铵(NH4OH)、乙酸铵(CH3CO2NH4)、碘化铵(NH4I)、氯化铵、磷酸氢二铵、磷酸二氢铵、磷酸三铵、过硫酸铵、硫酸铵或硝酸铵所组成之群组的混合物。 |
