| 发明名称 |
III-nitride heterojunction semiconductor device and method of fabrication |
| 摘要 |
A III-nitride heterojunction power semiconductor device having a barrier layer that includes a region of reduced nitrogen content.
|
| 申请公布号 |
US7964895(B2) |
申请公布日期 |
2011.06.21 |
| 申请号 |
US20070906842 |
申请日期 |
2007.10.04 |
| 申请人 |
INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION |
发明人 |
BRIERE MICHAEL A. |
| 分类号 |
H01L29/66 |
主分类号 |
H01L29/66 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
