| 主权项 |
一种液晶显示器，包含：一第一闸极线，用以传输一第一扫描信号；一第二闸极线，与该第一闸极线相邻；一画素电极，与该第一闸极线与该第二闸极线互不重叠；一薄膜电晶体，具有一第一电极、一第二电极与一闸极电极，其中该第一电极电性连接该画素电极，该第二电极用以接收一资料信号，及该闸极电极用以接收该第一扫描信号；一第一辅助层，具有一第一连接部与一第二连接部，其中该第一连接部部分重叠于该画素电极，该第二连接部部分重叠于该第一闸极线或该第二闸极线，其中该第一辅助层与该画素电极、该第一闸极线以及该第二闸极线电性绝缘；以及一第二辅助层，系与该第一辅助层之该第一连接部部分重叠且彼此电性绝缘。如申请专利范围第1项所述之液晶显示器，其中该画素电极系位于该第一闸极线和该第二闸极线之间。如申请专利范围第1项所述之液晶显示器，其中该第一辅助层、该第一电极与该第二电极系藉由同一曝光显影制程而形成。如申请专利范围第1项所述之液晶显示器，其中该第二辅助层、该第一闸极线和该第二闸极线系藉由同一曝光显影制程而形成。如申请专利范围第1项所述之液晶显示器，其中该第二辅助层系与该第一闸极线、第二闸极线电性隔离，并与该画素电极电性绝缘。如申请专利范围第1项所述之液晶显示器，更包含：一闸极绝缘层，覆盖该第一闸极线与该第二闸极线，且该第一电极、该第二电极与该第一辅助层系形成于该绝缘层上；以及一保护层，覆盖该第一电极、该第二电极与该第一辅助层，且该画素电极系形成与该保护层上。如申请专利范围第6项所述之液晶显示器，更包含：一半导体层，形成于该闸极绝缘层上，其中该第一电极与该第二电极的部分区域系形成于该半导体层上。一种液晶显示器的缺陷修补方法，应用于申请专利范围第1项所述之液晶显示器，该缺陷修补方法包含：连结该第一辅助层之该第一连接部与该画素电极；以及连接该第一辅助层之该第二连接部与该第一闸极线或该第二闸极线。如申请专利范围第8项所述之缺陷修补方法，更包含一步骤：电性分离该画素电极与该薄膜电晶体。如申请专利范围第9项所述之缺陷修补方法，其中该步骤系藉由切断该画素电极与该薄膜电晶体间的电性通路而达成。如申请专利范围第10项所述之缺陷修补方法，其中该切断步骤系藉由一雷射光而达成。如申请专利范围第8项所述之缺陷修补方法，具中该二连接步骤系藉由一雷射光而达成。一种液晶显示器，包含：一第一闸极线；一第二闸极线，与该第一闸极线相邻；一画素修补架构，包含：一第一辅助层，具有一第一连接部与一第二连接部，其中该第一连接部部分重叠于该画素电极，该第二连接部部分重叠于该第一闸极线；以及一第二辅助层，重叠于该第一辅助层之该第一连接部；其中该第一辅助层与该画素电极、该第一闸极线以及该第二辅助层电性绝缘。如申请专利范围第13项所述之液晶显示器，更包含：一第二闸极线，系与该第一闸极线相邻，且该画素电极系位于该第一闸极线与第二闸极线之间。如申请专利范围第14项所述之液晶显示器，其中该第二辅助层系电性隔离该第一闸极线与该第二闸极线，且与该画素电极电性绝缘。如申请专利范围第14项所述之液晶显示器，其中该第二辅助层、该第一闸极线与该第二闸极线系藉由同一曝光显影制程而形成。如申请专利范围第14项所述之液晶显示器，其中该第二辅助层系与该第一闸极线电性隔离，且与该画素电极电性绝缘。如申请专利范围第13项所述之液晶显示器，更包含：一闸极绝缘层，覆盖该第一闸极线与该第二辅助层，且该第一辅助层系形成于该绝缘层上；以及一保护层，覆盖该该第一辅助层，且该画素电极系形成与该保护层上。一种液晶显示器的缺陷修补方法，应用于申请专利范围第13项所述之画素修补架构，而该缺陷修补方法包含：连结该第一辅助层之该第一连接部、该第二辅助层与该画素电极；以及连接该第一辅助层之该第二连接部与该第一闸极线或该第二闸极线。如申请专利范围第19项所述之缺陷修补方法，更包含一步骤：电性分离该画素电极与该薄膜电晶体。如申请专利范围第20项所述之缺陷修补方法，其中该步骤系藉由切断该画素电极与该薄膜电晶体间的电性通路而达成。如申请专利范围第21项所述之缺陷修补方法，其中该切断步骤系藉由一雷射光而达成。如申请专利范围第19项所述之缺陷修补方法，其中该二连接步骤系藉由一雷射光而达成。 |
