| 发明名称 | 薄SOI器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种薄SOI器件的制造方法，包括：通过下列步骤形成结构：a)在施主衬底上形成第一蚀刻停止层；b)在该第一蚀刻停止层上形成第二蚀刻停止层，其中该第二蚀刻停止层的材料不同于该第一蚀刻停止层的材料；c)在该第二蚀刻停止层上形成薄硅膜；以及将该结构键合到目标衬底；以及通过在该第一蚀刻停止层开始的分裂而分离该施主衬底。 | ||
| 申请公布号 | CN102097298A | 申请公布日期 | 2011.06.15 |
| 申请号 | CN201010546693.6 | 申请日期 | 2010.11.11 |
| 申请人 | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 | 发明人 | N·达瓦尔;C·奥尔奈特 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;龚颐雯 |
| 主权项 | 一种方法，包括：通过下列步骤形成结构：a)在施主衬底(1)上形成第一蚀刻停止层(2)；b)在所述第一蚀刻停止层(2)上形成第二蚀刻停止层(3)，其中所述第二蚀刻停止层(3)的材料不同于所述第一蚀刻停止层(2)的材料；c)在所述第二蚀刻停止层(3)上形成薄硅膜(4)；以及将所述结构键合到目标衬底(6)；以及通过在所述第一蚀刻停止层(2)开始的分裂而分离所述施主衬底(1)。 | ||
| 地址 | 法国贝尔尼 | ||