发明名称 |
MEMS器件 |
摘要 |
本发明提供一种MEMS器件,该MEMS器件可以减少MEMS结构体和半导体基板之间的寄生电容。MEMS器件(1)具备MEMS结构体(30),该MEMS结构体(30)具有隔着绝缘层形成在半导体基板(10)上的固定电极20和可动电极(26),在固定电极(20)的下方的半导体基板(10)上形成有阱(13),当固定电极(20)被施加正的电压时,阱(13)是p型阱。另外,对阱(13)施加电压以使阱(13)成为耗尽状态。该电压为使阱(13)维持耗尽状态的电压。 |
申请公布号 |
CN101168434B |
申请公布日期 |
2011.06.15 |
申请号 |
CN200710181944.3 |
申请日期 |
2007.10.17 |
申请人 |
精工爱普生株式会社 |
发明人 |
渡边徹;佐藤彰;稻叶正吾;森岳志 |
分类号 |
B81B7/00(2006.01)I;H01L27/00(2006.01)I |
主分类号 |
B81B7/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
党晓林 |
主权项 |
一种MEMS器件,该MEMS器件具备MEMS结构体,该MEMS结构体具有隔着绝缘层形成在半导体基板上的固定电极和可动电极,其特征在于,在上述固定电极的下方的上述半导体基板上,形成有与上述半导体基板极性相同的阱,在上述半导体基板内形成有包围上述阱、并且具有与上述阱相反的极性的分离用阱,上述阱与上述分离用阱之间、或者上述分离用阱与上述半导体基板之间为反向偏置的结构。 |
地址 |
日本东京 |