| 发明名称 | 光刻胶图案的修正方法及刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例提供一种光刻胶图案的修正方法和刻蚀方法。其中光刻胶图案的修正方法，包括：在中间膜层上形成光刻胶图案层；根据所述光刻胶图案层中光刻胶图案的实际尺寸和欲获得的目标尺寸，获得对所述光刻胶图案的修正值；根据所述修正值设定离子注入的参数；对所述光刻胶图案层中的光刻胶侧壁进行倾斜离子注入，使所述光刻胶的侧壁内缩，以将所述光刻胶图案的实际尺寸修正为所述欲获得的目标尺寸。本发明实施例提供的方法操作简单易行，大大提高了效率，降低了生产成本。 | ||
| 申请公布号 | CN102096310A | 申请公布日期 | 2011.06.15 |
| 申请号 | CN200910201464.8 | 申请日期 | 2009.12.14 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 宁先捷 |
| 分类号 | G03F1/14(2006.01)I;G03F1/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I | 主分类号 | G03F1/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种光刻胶图案的修正方法，其特征在于，包括：在中间膜层上形成光刻胶图案层；根据所述光刻胶图案层中光刻胶图案的实际尺寸和欲获得的目标尺寸，获得对所述光刻胶图案的修正值；根据所述修正值设定离子注入的参数；对所述光刻胶图案层中的光刻胶侧壁进行倾斜离子注入，使所述光刻胶的侧壁内缩，以将所述光刻胶图案的实际尺寸修正为所述欲获得的目标尺寸。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||