| 发明名称 |
Verfahren zum Formieren von elektrischen Halbleiteranordnungen mit einer mit Fremdstoff versehenen Nadelelektrode |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE1182751(B) |
申请公布日期 |
1964.12.03 |
| 申请号 |
DE1955I010599 |
申请日期 |
1955.08.30 |
| 申请人 |
INTERNATIONAL STANDARD ELECTRIC CORPORATION |
发明人 |
SIM ALAN C. |
| 分类号 |
G01R31/26;H01L21/24;H01L21/326;H01L29/00;H01L29/417 |
主分类号 |
G01R31/26 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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