一种高出光率SiC衬底LED芯片及其制备方法

摘要

本发明提供了一种高出光率SiC衬底LED芯片及其制备方法。该高出光率SiC衬底LED芯片包括SiC衬底、AlN缓冲层、UGaN层、N型GaN层、MQW层、P型AlGaN层和P型GaN层，在UGaN层和N型GaN层之间设有10-20个循环层的AlGaN与GaN交替的DBR层，每个循环的DBR层厚度是104.1nm-111.6nm。其制备方法的步骤是在900℃-1100℃下在SiC衬底上沉积一层高温AlN缓冲层；在高温AlN缓冲层上生长1um厚的UGaN层；生长10-20个循环的AlGaN与GaN的DBR层，每个循环的DBR层厚度是104.1nm-111.6nm；生长N型GaN层；在600℃-900℃之间生长MQW；生长一层P型AlGaN；生长P-GaN层。本发明利用多个循环DBR层，使得发光强度提高了30％-50％。

主权项

一种高出光率SiC衬底LED芯片，由下至上依次包括SiC衬底、AlN缓冲层、UGaN层、N型GaN层、MQW层、P型AlGaN层和P型GaN层，其特征是：在UGaN层和N型GaN层之间设有10‑20个循环层形成的DBR层，每个循环层包括一个AlGaN层和一个GaN层，AlGaN层的厚度为48.3‑55.8nm，GaN层的厚度为55.8nm，每个循环层的厚度是104.1nm‑111.6nm，DBR层中的AlGaN层中Al的摩尔量为30％‑70％。