薄膜晶体管及其制造方法

摘要

一种制造薄膜晶体管的方法，包括：提供一基板，并在基板上沉积一第一导体层；利用第一道掩膜配合光刻蚀刻工艺对所述第一导体层进行蚀刻，形成栅极以及扫描线；在该形成有栅极的基板上沉积一第一绝缘层，并在该第一绝缘层上沉积一第二导体层；利用第二道掩膜配合光刻蚀刻工艺对所述第二导体层进行蚀刻，同时形成源极、漏极以及沟道层。本发明还提供一种利用该方法制造的薄膜晶体管，本发明的薄膜晶体管及其制造方法，无需复杂的制程即可制造出较高质量的薄膜晶体管。

主权项

一种薄膜晶体管，包括基板以及形成于该基板上的栅极，该基板为一长方体结构，具有长边和窄边，该栅极位于该基板表面的中心且沿基板的长边方向延伸，其特征在于，该薄膜晶体管还包括：第一绝缘层，该第一绝缘层覆盖于该栅极上，该第一绝缘层与该基板配合形成一封闭结构将栅极封闭于其中；源极；漏极；以及沟道层；其中，该源极和漏极均为台阶结构，且以栅极的垂直中心线为轴对称设置在靠近基板窄边的位置，该沟道层数量为两个，为棱形结构，分别位于源极和漏极之间的第一绝缘层上，每一沟道层均与源极和漏极分别电连接。