一种单根碳纳米管电子场发射阴极及其制备方法

摘要

本发明提供了一种单根碳纳米管电子场发射阴极及其制备方法，属于碳纳米管应用领域。用做电子场发射阴极的碳纳米管有一锥状端部，锥状端部为闭口的单壁或双壁管结构，所述锥状结构以下为多壁管结构。该碳纳米管的制备方法是用一金属丝获取多壁碳纳米管；用一金属针尖接触金属丝上的一根多壁碳纳米管；金属丝与金属针尖之间加匀速递增的电压，使单根碳纳米管在电流作用下变细至断裂，得到带有锥状端部的碳纳米管。这种碳纳米管在发射性能上兼具单壁管和多壁管的优点，发射稳定，开启电压低，能承受较大的电流，且获取也相对容易。此外，其锥状尖端曲率半径还可以可控增大，其相应的最大可承受电流也因此不断提高。

主权项

一种单根碳纳米管电子场发射阴极，其特征在于所述碳纳米管有一锥状端部，所述锥状端部为闭口的单壁或双壁管结构，所述锥状端部以下为多壁管结构。