发明名称 |
一种平坦化方法 |
摘要 |
本发明涉及一种平坦化方法,其包括如下步骤:a、提供衬底,衬底上设置底层金属连线;b、淀积绝缘介质层;c、涂布光刻胶;d、对衬底及光刻胶进行热处理;e、对衬底及光刻胶进行干法刻蚀,并保留位于金属连线底层台阶处的绝缘介质层;f、用EKC溶液清洗;g、再次淀积绝缘介质层;h、再次涂布光刻胶;i、对上述衬底及光刻胶进行热处理;j、对上述衬底及光刻胶进行干法刻蚀,去除绝缘介质层及所述绝缘介质层上的光刻胶,并保留位于金属连线底层台阶处的绝缘介质层;所述保留的绝缘介质层的厚度与所述底层金属连线的厚度相当;k、对上述衬底通过干法去胶后,再用EKC溶液清洗。本发明工艺步骤简单有效,加工成本低廉,平坦化效果好,安全可靠。 |
申请公布号 |
CN102097311A |
申请公布日期 |
2011.06.15 |
申请号 |
CN201010545902.5 |
申请日期 |
2010.11.16 |
申请人 |
无锡中微晶园电子有限公司 |
发明人 |
肖志强;黄蕴;张明;吴建伟 |
分类号 |
H01L21/31(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/31(2006.01)I |
代理机构 |
无锡市大为专利商标事务所 32104 |
代理人 |
曹祖良 |
主权项 |
一种平坦化方法,其特征是,所述平坦化方法包括如下步骤:(a)、提供衬底,所述衬底上设置底层金属连线;(b)、在上述衬底上,淀积绝缘介质层,所述绝缘介质层覆盖在底层金属连线上;(c)、在上述绝缘介质层上涂布光刻胶;(d)、对上述衬底及光刻胶进行热处理,去除光刻胶中的水汽;(e)、对上述衬底及光刻胶进行干法刻蚀,去除绝缘介质层及所述绝缘介质层上的光刻胶,并保留位于金属连线底层台阶处的绝缘介质层;(f)、对上述衬底通过干法去胶后,再用EKC溶液清洗,清除衬底上的光刻胶;(g)、上述衬底上,再次淀积绝缘介质层,所述绝缘介质层覆盖在底层金属连线上;(h)、在上述再次淀积得到的绝缘介质层上涂布光刻胶;(i)、对上述衬底及光刻胶进行热处理,去除光刻胶中的水汽;(j)、对上述衬底及光刻胶进行干法刻蚀,去除绝缘介质层及所述绝缘介质层上的光刻胶,并保留位于金属连线底层台阶处的绝缘介质层;所述保留的绝缘介质层的厚度与所述底层金属连线的厚度相当;(k)对上述衬底通过干法去胶后,再用EKC溶液清洗,清除衬底上的光刻胶。 |
地址 |
214028 江苏省无锡市新区长江路21号信息产业园A座203室 |