半导体器件的制作方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件的制作方法，该方法包括：在晶圆上形成暴露出NMOS管的光阻胶PR；进行离子注入，形成NMOS管的漏极和源极；在晶圆表面形成反相图形材料，且NMOS管之上的反相图形材料和PMOS管之上的反相图形材料的上表面高度相同；对PMOS管的PR之上的反相图形材料和NMOS管之上的反相图形材料进行去除，且NMOS管之上保留的反相图形材料和PMOS管之上的PR的上表面高度相同；去除PR，进行离子注入，形成PMOS管的漏极和源极。采用该方法能够简化半导体器件制作的工艺流程。

主权项

一种半导体器件的制作方法，在晶圆上形成用于隔离PMOS管和NMOS管的浅沟槽隔离区STI、N型金属氧化物半导体NMOS管、P型金属氧化物半导体PMOS管的栅极结构和位于栅极结构两侧的侧壁层后，其特征在于，该方法还包括：在晶圆上形成暴露出NMOS管的光阻胶PR；进行离子注入，形成NMOS管的漏极和源极；在晶圆表面形成反相图形材料，且NMOS管之上的反相图形材料和PMOS管之上的反相图形材料的上表面高度相同；对PMOS管的PR之上的反相图形材料和NMOS管之上的反相图形材料进行去除，且NMOS管之上保留的反相图形材料和PMOS管之上的PR的上表面高度相同；去除所述PR；进行离子注入，形成PMOS管的漏极和源极。