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一种纯化莫奇西德克丁的方法，该方法包括：a)合并莫奇西德克丁和第一溶剂而产生莫奇西德克丁溶液；b)在约50℃或以下之温度浓缩该溶液，然后将该莫奇西德克丁溶液冷却至约40至30℃之范围；c)合并第二溶剂与该莫奇西德克丁溶液；以及然后d)于降低温度至约30至10℃之范围间搅拌该莫奇西德克丁溶液，而可从该溶液产生莫奇西德克丁结晶；e)从该莫奇西德克丁溶液过滤该结晶；以及f)乾燥该结晶；其中第一溶剂系选自甲醇、乙醇、甲基环己烷、己烷、苯甲醇、甲苯、庚烷及其混合物组成之群，第二溶剂为一种非极性有机溶剂。如申请专利范围第1项之方法，其中该第一溶剂为甲基环己烷(MCH)。如申请专利范围第1项之方法，其中该乾燥结晶的纯度至少约为94%。如申请专利范围第3项之方法，其中该乾燥结晶的纯度约为94~96%。如申请专利范围第1项之方法，其中该第二溶剂为选自含己烷、庚烷、甲苯、异辛烷及其混合物组成之群。如申请专利范围第1项之方法，其中莫奇西德克丁溶液的总固体浓度(TS)约为40~50%。如申请专利范围第6项之方法，其中莫奇西德克丁溶液的总固体浓度约为40~44%。如申请专利范围第1项之方法，其中该第二溶剂的加入重量比约为第一溶剂的2：1至6：1。如申请专利范围第8项之方法，其中该第二溶剂于搅拌下被加入。如申请专利范围第9项之方法，其中在加入第二溶剂时进行该莫奇西德克丁溶液之搅拌之速率为15~30 rpm；以及其后该莫奇西德克丁溶液的搅拌速率增加至50~70 rpm。如申请专利范围第1项之方法，其中该d)部分之温度为从约25℃降低至约10℃。如申请专利范围第11项之方法，其中该温度降低期间为约2至12小时。如申请专利范围第12项之方法，其中在该降温期间为逐渐使温度降低。如申请专利范围第1项之方法，其中该非极性有机溶剂为正庚烷以及该第一溶剂为甲基环己烷(MCH)，其中加入该正庚烷至该莫奇西德克丁/甲基环己烷(MCH)溶液之重量比率为正庚烷对甲基环己烷(MCH)约为3：1。如申请专利范围第1项之方法，其中该非极性有机溶剂为正己烷以及该第一溶剂为甲基环己烷(MCH)，其中加入该正己烷至该莫奇西德克丁/甲基环己烷(MCH)溶液之重量比率为正己烷对甲基环己烷(MCH)约为3：1。如申请专利范围第1项之方法，其中该第一溶剂为选自甲醇、乙醇、己烷、苯甲醇、甲苯、庚烷及其混合物组成之群。如申请专利范围第1项之方法，其中该b)部分之溶液为在真空下进行浓缩。如申请专利范围第17项之方法，其中该b)部分之溶液为在约40至50℃的温度下进行浓缩。如申请专利范围第18项之方法，其中该b)部分之溶液为在约45至50℃的温度下进行浓缩。如申请专利范围第1项之方法，其中该a)部分之莫奇西德克丁为一种非结晶形莫奇西德克丁。如申请专利范围第20项之方法，其中该莫奇西德克丁为得自解块化学反应。如申请专利范围第21项之方法，其中该化学反应为一种硷性水解反应。如申请专利范围第22项之方法，其中该非结晶莫奇西德克丁的纯度约为90~92%。如申请专利范围第1项之方法，其中该莫奇西德克丁与该第一溶剂合并的重量比率为约1：1至1：2。一种纯化固态莫奇西德克丁的方法，此方法包括：a)将固态莫奇西德克丁溶解于甲基环己烷(MCH)而产生莫奇西德克丁/MCH溶液；b)在槽温约45至50℃的真空下浓缩该莫奇西德克丁/MCH溶液；c)在搅拌下将正庚烷对MCH重量比率约4：1的正庚烷加入莫奇西德克丁/MCH溶液内；d)在约30℃下陈化(aging)生成之溶液约4~5小时；e)在约10℃下陈化该溶液2~3小时，而使其产生莫奇西德克丁结晶；以及f)在真空下过滤及乾燥该莫奇西德克丁结晶。如申请专利范围第25项之方法，其中该莫奇西德克丁结晶的纯度至少约为94~96%。一种从非晶形莫奇西德克丁制造莫奇西德克丁结晶之方法，其包括：a)将非晶形莫奇西德克丁加入第一溶剂内而产生莫奇西德克丁溶液；然后b)使温度约45~50℃的溶液内含约40~44%重量百分比的莫奇西德克丁；c)冷却该溶液并温度在约30~35℃的范围内加入第二溶剂于该溶液；d)在约2~8小时期间将该溶液温度降至约10℃，于该期间内以搅拌增强方式搅拌该溶液而使莫奇西德克丁有效产生结晶；以及e)乾燥该莫奇西德克丁结晶。如申请专利范围第27项之方法，其中该第一溶剂为甲基环己烷(MCH)。如申请专利范围第28项之方法，其中该第二溶剂为选自由己烷、庚烷、甲苯、异辛烷及其混合物组成之群。如申请专利范围第29项之方法，其中该莫奇西德克丁结晶的纯度至少高于该非晶形莫奇西德克丁约2~5%。 |
