| 主权项 |
一种图案形成方法，其包含：以负型显影用光阻组成物涂覆，以形成光阻膜，其中负型显影用光阻组成物含一种可因酸之作用而增加极性之树脂，且在以光似射线或辐射照射时，使对于属于硷显影剂的正型显影剂之溶解度增大，且使对于含有机溶剂的负型显影剂之溶解度减少，将该光阻膜经浸渍介质曝光，及以该负型显影剂实行显影；其中该负型显影用光阻组成物包含下述成分：(A)该可因酸之作用增加极性，及在以光似射线或辐射照射时，使对于该正型显影剂之溶解度增大，且使对于该负型显影剂之溶解度减少的树脂，(B)以光似射线或辐射照射时可产生酸之化合物，(C)溶剂，及(D)具有氟原子或矽原子至少之一之树脂；其中该成分(D)之添加量按该光阻组成物中之全部固体量计为0.1%质量%以上。如申请专利范围第1项之图案形成方法，其中树脂(D)具有由下式(F3a)表示之基：@sIMGTIF!d10072.TIF@eIMG!式(F3a)中各R62a与R63a独立地表示其至少一个氢原子经氟原子取代之烷基，而且R62a与R63a可彼此连结形成环，R64a表示氢原子、氟原子或烷基。如申请专利范围第1项之图案形成方法，其中树脂(D)具有由下式(CS-1)至(CS-3)任一表示之基：@sIMGTIF!d10073.TIF@eIMG!式(CS-1)至(CS-3)中各R12至R26独立地表示直链烷基、分枝烷基或环烷基，各L3至L5表示单键或二价键联基，n表示1至5之整数。如申请专利范围第1项之图案形成方法，其中将曝光后的光阻膜于使用该负型显影剂显影之前及后之至少一者时使用该正型显影剂进行显影。如申请专利范围第1项之图案形成方法，其中该负型显影剂所含有的有机溶剂为选自由酮系溶剂、酯系溶剂及醚系溶剂所构成的群组之至少一种有机溶剂。如申请专利范围第1项之图案形成方法，其含有于使用该负型显影剂显影后，使用含有机溶剂的洗涤液进行清洁之步骤。如申请专利范围第1项之图案形成方法，其中使用波长200nm以下的光进行该曝光。如申请专利范围第1项之图案形成方法，其中该浸渍介质为水。如申请专利范围第1项之图案形成方法，其中该光阻组成物之(D)成分之添加量按该光阻组成物中之全部固体量计为0.1至5质量%。如申请专利范围第1项之图案形成方法，其中该光阻组成物之(A)成分为具有脂环烃构造的树脂。 |
