| 主权项 |
一种湿式清洗制程，包括：至少进行一第一冲洗步骤，该步骤包括：以含有二氧化碳的去离子水冲洗一基底；以及停止供应去离子水并排除该含有二氧化碳的去离子水，持续通入二氧化碳，使该基底暴露于充满二氧化碳的气体环境中。如申请专利范围第1项所述之湿式清洗制程，其中以该含有二氧化碳的去离子水冲洗该基底的方法包括在一清洗槽中持续通入去离子水与二氧化碳，使该去离子水溢流。如申请专利范围第2项所述之湿式清洗制程，其中使该基底暴露于该充满二氧化碳的气体环境中的方法包括排出该清洗槽中的去离子水，但持续通入二氧化碳。如申请专利范围第2项所述之湿式清洗制程，其中该清洗槽包括一快排冲水清洗槽。如申请专利范围第1项所述之湿式清洗制程，更包括在该第一冲洗步骤之后进行一第二冲洗步骤，该第二冲洗步骤是以含有二氧化碳的去离子水冲洗该基底。如申请专利范围第5项所述之湿式清洗制程，其中该第二冲洗步骤和该第一冲洗步骤是在同一个清洗槽中进行，且该第二冲洗步骤是以溢流的含有二氧化碳的去离子水冲洗该基底。。如申请专利范围第6项所述之湿式清洗制程，其中进行该第二冲洗步骤和该第一冲洗步骤之该清洗槽为一快排冲水清洗槽。如申请专利范围第7项所述之湿式清洗制程，更包括在该第二冲洗步骤之后进行一第三冲洗步骤，该第三冲洗步骤是以去离子水冲洗该基底。如申请专利范围第8项所述之湿式清洗制程，其中该第三冲洗步骤是在一清洗槽中进行，且是以溢流的去离子水冲洗该基底。如申请专利范围第1项所述之湿式清洗制程，其中该基底上包括一金属材料。如申请专利范围第10所述之清洗制程，其中该金属材料包括铝或铝铜合金。如申请专利范围第10项所述之湿式清洗制程，其中该金属材料上包括一抗反射层。一种半导体元件的制程方法，包括：提供一基底，该基底上具有一金属层；在该金属层上方形成一光阻层；以该光阻层为蚀刻罩幕，进行一蚀刻制程；以乾式法移除该光阻层，使该金属层裸露出来；以及以一有机溶液或是一硷性溶液移除蚀刻制程形成之聚合物副产物与杂质；进行至少一第一冲洗步骤，包括：以一含有二氧化碳的去离子水冲洗该基底；以及停止供应去离子水并排除该含有二氧化碳的去离子水，持续通入二氧化碳，使该基底暴露于充满二氧化碳的气体环境中。如申请专利范围第13项所述之半导体元件的制程方法，更包括在该第一冲洗步骤之后进行一第二冲洗步骤，该第二冲洗步骤是以含有二氧化碳的去离子水冲洗该基底。如申请专利范围第14项所述之半导体元件的制程方法，其中该第二冲洗步骤和该第一冲洗步骤是在同一个清洗槽中进行，且该第二冲洗步骤是以溢流的含有二氧化碳的去离子水冲洗该基底。如申请专利范围第15项所述之半导体元件的制程方法，更包括在该第二冲洗步骤之后进行一第三冲洗步骤，该第三冲洗步骤是以去离子水冲洗该基底。如申请专利范围第13项所述之半导体元件的制程方法，其中该蚀刻制程，是用以蚀刻该金属层以形成一金属线。如申请专利范围第13项所述之半导体元件的制程方法，其中该蚀刻制程为一图案化该金属层之制程。如申请专利范围第13项所述之半导体元件的制程方法，在形成该光阻层之前，更包括在该金属层上形成一抗反射层。如申请专利范围第13项所述之半导体元件的制程方法，更包括在该金属层与该光阻层之间形成一绝缘层，且该蚀刻制程系蚀刻该绝缘层，以形成裸露出该金属层之一开口。如申请专利范围第20所述之半导体元件的制程方法，其中该绝缘层为一金属层间介电层，该开口包括一介层窗开口。如申请专利范围第20项所述之半导体元件的制程方法，其中该绝缘层为一金属层间介电层，该开口包括一双重金属镶嵌开口。如申请专利范围第20项所述之半导体元件的制程方法，其中该绝缘层为一保护层，该开口为一焊垫开口。 |
