发明名称 | 半导体器件的设计方法 | ||
摘要 | 一种半导体器件及其设计方法,所述半导体器件包括第一布线和第二布线以及多个通孔,所述设计方法包括:确定与构成将第一与第二布线连接的通孔矩阵的列/行方向的通孔数目的变化相对应的第一/二寿命变化率,列/行方向的通孔数目为沿第一或第二布线的长/宽度方向排列的通孔数目;根据基于第一和第二寿命变化率的比率“N”(第二寿命变化率)/(第一寿命变化率),减小行方向的通孔数目;将列方向的通孔数目至少增加1,“N”为舍弃小数部分后得到的整数,半导体器件的寿命∝exp(第一寿命变化率Scolumn×通孔列数目),寿命∝exp(第二寿命变化率Sline×通孔行数目)。 | ||
申请公布号 | CN101221942B | 申请公布日期 | 2011.06.01 |
申请号 | CN200810002672.0 | 申请日期 | 2008.01.14 |
申请人 | 富士通半导体股份有限公司 | 发明人 | 佐藤元伸 |
分类号 | H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I |
代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张龙哺 |
主权项 | 一种半导体器件的设计方法,所述半导体器件包括第一布线和第二布线以及多个通孔,所述设计方法包括以下步骤:确定与列方向的通孔数目的变化相对应的第一寿命变化率,所述列方向的通孔构成将所述第一布线与所述第二布线连接的通孔矩阵,所述列方向的通孔数目为沿所述第一布线的长度方向或所述第二布线的长度方向排列的通孔数目;确定与行方向的通孔数目的变化相对应的第二寿命变化率,所述行方向的通孔构成将所述第一布线与所述第二布线连接的通孔矩阵,所述行方向的通孔数目为沿所述第一布线的宽度方向或所述第二布线的宽度方向排列的通孔数目;根据基于所述第一寿命变化率和所述第二寿命变化率的比率“N”,减小所述行方向的通孔数目;以及将所述列方向的通孔数目至少增加1,其中,所述比率“N”表示为:所述比率“N”=(所述第二寿命变化率)/(所述第一寿命变化率),其中,所述比率“N”为舍弃小数部分后得到的整数,其中,当所述第一寿命变化率由Scolumn表示并且所述第二寿命变化率由Sline表示时,所述半导体器件的寿命表示为:所述寿命∝exp(Scolumn×所述通孔列数目),以及所述寿命∝exp(Sline×所述通孔行数目)。 | ||
地址 | 日本神奈川县横浜市 |