发明名称 |
具有整合遮蔽电极的离子加速柱连接机构 |
摘要 |
一种包括具有整合遮蔽电极的连接机构的离子加速装置以及其方法。根据实施例,离子注入系统的离子加速装置包括:第一元件(102);在第一元件内的第一连接系统(120),第一连接系统包括第一连接器(124)以及在第一连接器周围的第一囊封遮蔽电极(128);以及在不同于第一元件的第二元件(104)内的第二连接系统(122),第二连接系统耦接至第一连接器;其中第一囊封遮蔽电极包括邻近于第一元件的第一接口表面(134)的第一遮蔽部分(132),其中第二连接系统与第一元件接口连接,在横截面图中,第一遮蔽部分实质上为U型。 |
申请公布号 |
CN101675493B |
申请公布日期 |
2011.06.01 |
申请号 |
CN200880014853.3 |
申请日期 |
2008.03.18 |
申请人 |
瓦里安半导体设备公司 |
发明人 |
卡森·D·泰克雷特萨迪克 |
分类号 |
H01J37/24(2006.01)I;H01J37/317(2006.01)I;H01B17/42(2006.01)I;H01R13/53(2006.01)I;H01J5/46(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/24(2006.01)I |
代理机构 |
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 |
代理人 |
臧建明 |
主权项 |
一种用于离子注入系统的离子加速装置,所述离子加速装置包括:第一元件,包括第一套管单元;第一连接系统,在所述第一元件内,所述第一连接系统包括第一连接器以及在所述第一连接器周围的第一囊封遮蔽电极;以及第二连接系统,在第二元件内,所述第二元件包括分级电路板或第二不同套管单元中之一,所述第二连接系统耦接至所述第一连接器;其中所述第一囊封遮蔽电极包括第一遮蔽部分,所述第一遮蔽部分邻近于所述第一元件的第一接口表面,其中所述第二连接系统与所述第一元件接口连接,在横截面图中,所述第一遮蔽部分实质上为U型。 |
地址 |
美国麻萨诸塞州格洛斯特郡都利路35号 |