| 发明名称 | 带有阻挡层的层状系统及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种带有阻挡层的层状系统及其制造方法。按照现有技术的构件为避免腐蚀具有一保护层，其中，该保护层中的一种金属元素(例如铝)形成一种保护性的氧化物层。但这种金属元素也以不期望的方式扩散到基层中。按照本发明的层状系统(1)具有一阻止所述扩散的金属阻挡层(7)，其中，该阻挡层(7)具有PdAl2、Ta2Al、NbAl2或Nb3Al类型的至少一种金属间相。 | ||
| 申请公布号 | CN1807090B | 申请公布日期 | 2011.06.01 |
| 申请号 | CN200610005739.7 | 申请日期 | 2006.01.06 |
| 申请人 | 西门子公司 | 发明人 | 克努特·哈伯斯塔特;沃纳·施塔姆 |
| 分类号 | B32B33/00(2006.01)I;B32B15/00(2006.01)I;F01D5/12(2006.01)I;F01D5/28(2006.01)I;C23C30/00(2006.01)I;C25D3/00(2006.01)I | 主分类号 | B32B33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 侯宇;陶凤波 |
| 主权项 | 一种层状系统(1)，它至少包括一基层(4)、一位于该基层(4)上的保护层(10)以及在该基层(4)和保护层(10)之间的一阻挡层(7)，其特征在于，所述阻挡层(7)至少部分设计成金属间相，该金属间相从Ta2Al、NbAl2或Nb3Al这组铝化合物中选择，并且所述保护层(10)由一种MCrAlX合金组成，其中，M是铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)元素组中至少一种，X是代表钇(Y)和/或硅(Si)和/或至少另一种稀土元素或铪(Hf)的一种活性元素。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||