发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法,该装置包括:一半导体基底、一发光二极管芯片、至少两个分隔的外部导线层以及一透镜模块。半导体基底具有一凹穴,而发光二极管芯片设置于凹穴内。外部导线层设置于半导体基底的下表面且电性连接至发光二极管芯片,用以作为输入端。透镜模块贴附于半导体基底的上表面,以覆盖凹穴,包括:一模塑透镜、一透明导电层及一玻璃基底。透明导电层上涂覆一荧光材料且位于模塑透镜下方。玻璃基底设置于该透明导电层与该模塑透镜之间。本发明可改善荧光层的厚度均匀性,且由于荧光层经由电泳沉积而成并可通过晶片级封装技术进行LED装置的封装,故可达到较高的生产速率并降低制造成本。
申请公布号 CN101661979B 申请公布日期 2011.06.01
申请号 CN200810185358.0 申请日期 2008.12.22
申请人 采钰科技股份有限公司 发明人 林孜翰;翁瑞坪;林孜颖;傅国荣
分类号 H01L33/00(2006.01)I 主分类号 H01L33/00(2006.01)I
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人 郭晓东;邢雪红
主权项 一种半导体装置,包括:一半导体基底,具有一凹穴;一发光二极管芯片,设置于该凹穴内;至少两个分隔的外部导线层,设置于该半导体基底的下表面且电性连接至该发光二极管芯片,用以作为输入端;以及一透镜模块,贴附于该半导体基底的上表面,以覆盖该凹穴,包括:一模塑透镜;一透明导电层,其上涂覆一荧光材料且位于该模塑透镜下方;以及一玻璃基底,设置于该透明导电层与该模塑透镜之间。
地址 中国台湾新竹市