光电转换装置及其制造方法

摘要

一种光电转换装置及其制造方法，其兼容高的光电转换效率和高的生产性，该光电转换装置(90)至少具有在透明绝缘性基板(1)上设置透明电极层(2)而形成的带透明电极基板、以及在该带透明电极基板的透明电极层(2)一侧上依次形成的主要具有结晶硅类半导体的光电转换层(92)以及背面电极层(4)，其中所述带透明电极基板的透明电极层(2)的表面为混合存在大小凹凸的形状，并且光谱模糊率在550nm以上800nm以下的波长时为20％以上，主要具有所述结晶硅类半导体的光电转换层的膜厚为1.2μm以上2μm以下，喇曼比为3.0以上8.0以下。

主权项

一种光电转换装置，其至少具有：在透明绝缘性基板上设置透明电极层而形成的带透明电极基板、在该带透明电极基板的透明电极层一侧依次形成的主要具有结晶硅类半导体的光电转换层以及背面电极层，其中，所述带透明电极基板其表面为混合存在大小凹凸的形状，并且光谱模糊率在550nm以上800nm以下的波长时为20％以上，其中在所述带透明电极基板与主要具有所述结晶硅类半导体的光电转换层之间，具有主要具有非晶硅类半导体的光电转换层，在所述透明电极层与主要具有所述非晶硅类半导体的光电转换层之间，设置有遮断从该光电转换层的透明电极层侧表面贯通背面电极层侧表面的异相的异相遮断层。