用于改善半导体器件制造中的金属缺陷的方法

摘要

本发明涉及用于改善半导体器件制造中的金属缺陷的方法。本发明在一个方面中提供半导体器件的制造方法。该方法包括设置半导体衬底和在半导体衬底上淀积具有约1微米或更厚的总厚度的金属层。通过在半导体衬底上淀积具有与其相关的压缩或拉伸应力的金属层的厚度的第一部分，形成金属层。应力补偿层被淀积在第一部分之上，使得应力补偿层分给第一部分与与第一部分相关的压缩或拉伸应力相反的应力。金属层的厚度的第二部分然后被淀积在应力补偿层之上。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：在半导体衬底上淀积金属层，该金属层具有1微米或更厚的总厚度；在半导体衬底上淀积金属层的第一部分，该第一部分具有与其相关的压缩或拉伸应力；将导电的应力补偿金属层放置在第一部分之上，使得导电的应力补偿金属层具有与同第一部分相关的压缩或拉伸应力相反的应力；和在导电的应力补偿金属层上淀积金属层的第二部分，其中，第一部分和第二部分具有相同的厚度。