| 发明名称 | 去除铝工艺中热交换器表面沉积的铝薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种去除铝工艺中热交换器表面沉积的铝薄膜的方法；其包括下列步骤：(a)在所述热交换器表面沉积有铝薄膜的区域涂覆碱性溶液；(b)等待第一设定时间之后，使用去离子水浸湿的无尘布擦拭所述区域，擦拭的同时使用干燥空气或惰性气体吹干所述区域；(c)对所述热交换器进行第二设定时间的烘干处理。本发明提出的去除铝工艺中热交换器表面沉积的铝薄膜的方法，其能够有效地去除热交换器上的铝薄膜，避免因为更换热交换器所带来的高昂费用，降低了生产成本。 | ||
| 申请公布号 | CN101664745B | 申请公布日期 | 2011.06.01 |
| 申请号 | CN200810042592.8 | 申请日期 | 2008.09.05 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 黄平;陆一峰;叶青;周琦 |
| 分类号 | B08B7/04(2006.01)I;B08B3/08(2006.01)I;C23F1/36(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I | 主分类号 | B08B7/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种去除铝工艺中热交换器表面沉积的铝薄膜的方法，其特征在于包括下列步骤：(a)在所述热交换器表面沉积有铝薄膜的区域涂覆碱性溶液；(b)等待第一设定时间之后，使用去离子水浸湿的无尘布擦拭所述区域，擦拭的同时使用干燥空气或惰性气体吹干所述区域；(c)对所述热交换器进行第二设定时间的烘干处理；其中，所述碱性溶液为温度为0℃～50℃、浓度为0.5mol/L～1mol/L的KOH或NaOH溶液，所述第一设定时间为10分钟～30分钟。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||