通过自对准镶嵌工艺在半导体器件中形成侧接触的方法

摘要

本发明提供一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：刻蚀半导体衬底以形成多个有源区，所述有源区的每一个都具有第一侧壁和第二侧壁；在所述第一侧壁和所述第二侧壁上形成绝缘层；形成对所述有源区之间的每个间隙的一部分进行填充的刻蚀停止层；形成使形成在所述第一侧壁和所述第二侧壁中的任一个侧壁上的所述绝缘层暴露的凹陷；以及选择性地去除所述绝缘层的一部分，以形成使所述第一侧壁和所述第二侧壁中的任一个侧壁的一部分暴露的侧接触。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：刻蚀半导体衬底以形成多个有源区，所述多个有源区的每一个都具有第一侧壁和第二侧壁；在所述第一侧壁和所述第二侧壁上形成绝缘层；形成对所述有源区之间的每个间隙的一部分进行填充的刻蚀停止层；使形成在所述第一侧壁和所述第二侧壁中的任一个侧壁上的所述绝缘层暴露；以及选择性地去除所述绝缘层的一部分，以形成使所述第一侧壁和所述第二侧壁中的任一个侧壁的一部分暴露的侧接触。