发明名称 |
一种Ag<sub>2</sub>X薄膜的制备方法 |
摘要 |
本发明属于材料化学技术领域,涉及一种Ag2X薄膜的制备方法,其中X为硒或碲。首先将硝酸银和硒或碲的化合物加入盛有溶剂的烧杯中,再加入碱和络合剂,搅拌使其充分溶解,然后加入还原剂,充分溶解后停止搅拌,放入基片用于沉积Ag2X薄膜;恒温反应结束后用去离子水和无水乙醇冲洗薄膜;最后将薄膜干燥。本发明反应条件温和,在水溶液中一步合成Ag2Se或Ag2Te薄膜,制备的薄膜平整、致密、均匀。所用的原料便宜易得,工艺简单,容易实现规模化生产,且反应过程中避免使用大量有机溶剂,有利于环保,具有广阔的市场前景。合成的硒化银和碲化银薄膜可广泛应用于快离子导体,非线性光学器件、光电二次电池等多个领域,市场前景广阔。 |
申请公布号 |
CN102080263A |
申请公布日期 |
2011.06.01 |
申请号 |
CN201010582546.4 |
申请日期 |
2010.12.10 |
申请人 |
同济大学 |
发明人 |
蔡克峰;汪元元;姚熹 |
分类号 |
C30B29/46(2006.01)I;C30B7/14(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/46(2006.01)I |
代理机构 |
上海智信专利代理有限公司 31002 |
代理人 |
吴林松 |
主权项 |
一种Ag2X薄膜的制备方法,其中X为硒或碲,其特征在于:包括步骤:(1)配料:将硝酸银和硒或碲的化合物加入盛有溶剂的烧杯中,再加入碱和络合剂,搅拌使其充分溶解,然后加入还原剂,充分溶解后停止搅拌,放入基片用于沉积Ag2X薄膜;(2)恒温反应;(3)洗涤;(4)干燥。 |
地址 |
200092 上海市杨浦区四平路1239号 |