晶片封装体及其制造方法

摘要

本发明提供一种晶片封装体及其制造方法，其可在实施封装层的切割制程前，先通过晶片保护层或增设的蚀刻阻挡层覆盖在导电垫上，避免导电垫被切割残余物损害及刮伤。本发明还可选择以晶片保护层、晶片保护层上增设的蚀刻阻挡层或与导电垫同一位阶高度的金属蚀刻阻挡层或其组合，来对结构蚀刻区的层间介电层和硅基板进行蚀刻，以形成开口，便于后续半导体结构的制作，同时提高晶片封装体的良率。

主权项

一种晶片封装体，其特征在于，包括：一半导体基板，具有一结构蚀刻区、一元件区和一接垫区；多个导电垫，设置于该半导体基板的该接垫区上；一晶片保护层，覆盖于该半导体基板上；一绝缘蚀刻阻挡层及/或一金属蚀刻阻挡层，该绝缘蚀刻阻挡层位于该晶片保护层上，该金属蚀刻阻挡层与所述导电垫位于同一位阶高度；其中，于该结构蚀刻区处，该晶片保护层与该绝缘蚀刻阻挡层及/或该金属蚀刻阻挡层具有一连通的开口；及一封装层，覆盖该晶片保护层，其中该封装层、该晶片保护层及/或该绝缘蚀刻阻挡层，具有暴露出所述导电垫的开口。