| 发明名称 | 硼纳米线的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制备硼纳米线的制备方法，该方法将以硼粉、氧化硼和碳粉一起作为源材料，Fe 3O 4、Au或Fe纳米粒子作为催化剂，利用化学气相沉积CVD法合成硼纳米线，包括：(a)将催化剂沉积在衬底上；(b)在保护气体的气氛下，在900-1200℃的温度将源材料和沉积了催化剂的衬底一起加热，通过化学气相沉积形成硼纳米线。 | ||
| 申请公布号 | CN101531374B | 申请公布日期 | 2011.06.01 |
| 申请号 | CN200810101787.5 | 申请日期 | 2008.03.12 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 高鸿钧;刘飞;申承民;鲍丽宏;惠超 |
| 分类号 | C01B35/02(2006.01)I | 主分类号 | C01B35/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王旭 |
| 主权项 | 一种制备硼纳米线的方法，该方法将硼粉、氧化硼和碳粉一起作为原材料，以Fe3O4、Au或Fe纳米粒子作为催化剂，包括以下步骤：(a)将表面活性剂包覆的Fe3O4和Au颗粒作为催化剂沉积在Si衬底上；或者用磁控溅射方法得到的铁颗粒覆盖的Si片、W片作为基底；(b)在保护气体的气氛下，在900‑1200℃的温度将原材料和沉积了催化剂的衬底一起加热，通过化学气相沉积形成硼纳米线，其中化学气相沉积CVD中的升温速度为5‑100℃/min，载气流量为20‑500sccm，反应时间为10min‑24h。 | ||
| 地址 | 100080 北京市海淀区中关村南三街8号 | ||