| 摘要 |
1. Лавинный фотодиод, работающий в режиме Гейгера, содержащий: ! анод (1202, 1302, 1402); ! катод (1306, 1406); ! углубленный компонент (502, 1312, 1412); ! вертикальный электрод (702, 1314, 1414), имеющий электрическую связь в рабочем состоянии с углубленным компонентом. ! 2. Фотодиод по п.1, в котором углубленный компонент содержит углубленный полупроводниковый слой, и лавинный фотодиод, работающий в режиме Гейгера, содержит полупроводниковую подложку (402) и считывающие схемы (1102), при этом лавинный фотодиод, работающий в режиме Гейгера, и считывающие схемы сформированы на подложке, вертикальный электрод и углубленный полупроводниковый слой формируют изолирующий карман, и считывающие схемы расположены за пределами изолирующего кармана. ! 3. Фотодиод по п.1, содержащий изолирующую канавку (602), которая окружает активную площадь фотодиода, при этом вертикальный электрод расположен на той стороне изолирующей канавки, которая обращена к активной области. ! 4. Фотодиод по п.1, в котором компонент содержит углубленное охранное кольцо (1312, 1412), и вертикальный электрод имеет электрическую связь в рабочем состоянии с углубленным охранным кольцом. ! 5. Способ изготовления полупроводникового устройства, которое содержит лавинный фотодиод, работающий в режиме Гейгера, при этом способ содержит следующие этапы: ! формируют глубокую изолирующую канавку (602, 1308, 1408) в полупроводниковом материале; ! формируют компонент (902, 1312, 1412) фотодиода в полупроводниковом материале; ! формируют электрод (702, 1314, 1414) вдоль боковой стенки изолирующей канавки, причем электрод находится в электрическом контакте с компонентом. ! 6. Способ по п.5, в котором полупроводниковое устройс |
