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Es wird ein kantenemittierender Halbleiterlaser mit einem Halbleiterkörper (10) angegeben, der einen Wellenleiterbereich (4) aufweist, wobei der Wellenleiterbereich (4) eine erste Wellenleiterschicht (2A), eine zweite Wellenleiterschicht (2B) und eine zwischen der ersten Wellenleiterschicht (2A) und der zweiten Wellenleiterschicht (2B) angeordnete aktive Schicht (3) zur Erzeugung von Laserstrahlung (17) aufweist, der Wellenleiterbereich (4) zwischen einer ersten Mantelschicht (1A) und einer dem Wellenleiterbereich (4) in Wachstumsrichtung des Halbleiterkörpers (10) nachfolgenden zweiten Mantelschicht (1B) angeordnet ist, in dem Halbleiterkörpraler Moden der von der aktiven Schicht (3) emittierten Laserstrahlung ausgebildet ist, wobei die Phasenstruktur (6) mindestens eine Ausnehmung (7) umfasst, die sich von einer Oberfläche (5) des Halbleiterkörpers (10) in die zweite Mantelschicht (1B) hinein erstreckt, in die zweite Mantelschicht (1B) mindestens eine erste Zwischenschicht (11) aus einem von dem Halbleitermaterial der zweiten Mantelschicht (1B) verschiedenen Halbleitermaterial eingebettet ist, und sich die Ausnehmung (7) von der Oberfläche (5) des Halbleiterkörpers (10) zumindest teilweise bis in die erste Zwischenschicht (11) erstreckt.
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