柱的三角形二维互补图案形成

摘要

本发明涉及一种制造半导体器件的方法，其包括在基底上形成至少一个器件层，在器件层之上形成多个间隔开的第一部件，其中每三个相邻的第一部件形成等边三角形，在第一部件上形成侧壁间隔件，使用多个填充部件填充侧壁间隔件之间的间隔，选择性地去除侧壁间隔件，以及使用至少多个填充部件作为掩模蚀刻至少一个器件层。一种器件包含位于基底之上的多个底电极，位于多个底电极之上的多个被间隔开的柱，以及与多个柱接触的多个上部电极。每三个相邻柱形成等边三角形，且每个柱包含半导体器件。多个柱包含具有第一形状的多个第一柱和具有不同于第一形状的第二形状的多个第二柱。

主权项

一种制造器件的方法，其包含：在基底上形成至少一个器件层；在所述器件层之上形成多个间隔开的第一部件，其中每三个相邻的第一部件形成等边三角形；在所述第一部件上形成侧壁间隔件；使用多个填充部件填充所述侧壁间隔件之间的间隔；选择性地去除所述侧壁间隔件；以及至少使用所述多个填充部件作为掩模蚀刻所述至少一个器件层。