| 发明名称 | 具有虚拟结构的硅通孔及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种虚拟结构的硅通孔及其形成方法，该硅通孔包括顶部焊盘和与该顶部焊盘相连接的垂直导电柱。顶部焊盘比垂直导电柱的横截面覆盖的面积更广。互连(interconnect)焊盘至少部分地形成在顶部焊盘下面。底层下层同样至少部分地形成在顶部焊盘下面。至少有一个虚拟结构与顶部焊盘和底层下层相连接，以紧固顶部焊盘和互连焊盘。 | ||
| 申请公布号 | CN102074544A | 申请公布日期 | 2011.05.25 |
| 申请号 | CN201010527840.5 | 申请日期 | 2010.10.22 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 陈志华;陈承先;郭正铮;沈文维 |
| 分类号 | H01L23/52(2006.01)I;H01L23/00(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/52(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;熊须远 |
| 主权项 | 一种硅通孔(TSV)结构，包括：顶部焊盘；垂直导电柱，与所述顶部焊盘相连接，其中，所述顶部焊盘比所述垂直导电柱的横截面覆盖的面积更广；互连焊盘，与所述顶部焊盘相连接，并且至少部分地处于所述顶部焊盘下面；下层，至少部分地处于所述顶部焊盘下面；以及至少一个虚拟结构，与所述顶部焊盘和所述下层相连接，以紧固所述顶部焊盘和所述互连焊盘。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||