| 发明名称 | 可变电阻元件及其制造方法和非易失性半导体存储装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种能够高速且低功耗地工作的可变电阻元件。在第一电极(11)和第二电极(12)之间具有金属氧化物层(10)，对应于向第一和第二电极间的电应力的施加，第一和第二电极间的电阻可逆地变化，其中，金属氧化物层(10)具有：作为在第一和第二电极间流过的电流的电流密度局部地变高的电流路径的细丝(13)，在第一电极和第二电极内的至少任何的一方的特定电极(11)与金属氧化物层(10)的界面的、至少包含特定电极(11)和细丝(13)的界面附近的一部分，具备：界面氧化物(15)，该界面氧化物作为包含在特定电极中的至少一个元素的氧化物，与金属氧化物层(10)的氧化物不同。 | ||
| 申请公布号 | CN101681913B | 申请公布日期 | 2011.05.25 |
| 申请号 | CN200880015449.8 | 申请日期 | 2008.04.07 |
| 申请人 | 夏普株式会社;独立行政法人产业技术综合研究所 | 发明人 | 玉井幸夫;岛久;秋永广幸;高野史好;细井康成;粟屋信义;大西茂夫;石原数也 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I;H01L49/00(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 闫小龙;王忠忠 |
| 主权项 | 一种可变电阻元件，在第一电极和第二电极之间具有金属氧化物层，对应于向所述第一和第二电极间的电应力的施加，所述第一和第二电极间的电阻可逆地变化，该可变电阻元件的特征在于，所述金属氧化物层具有：作为在所述第一和第二电极间流过的电流的电流密度局部地变高的电流路径的细丝，在所述第一电极和所述第二电极内的至少任一方的特定电极与所述金属氧化物层的界面的、至少包含所述特定电极和所述细丝的界面附近的一部分，具备：界面氧化物，该界面氧化物是作为包含在所述特定电极中的至少一个元素的特定元素的氧化物，与所述金属氧化物层的氧化物不同。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||