| 发明名称 | 膜淀积方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种膜淀积方法，所述膜淀积方法能够根据将构成待淀积薄膜的材料的晶格常数来改进界面附近的晶体特性。具体来讲，根据将构成待淀积薄膜的材料的晶格常数与构成一个主表面的材料的晶格常数，相对于沿着在其上要淀积薄膜的一个主表面的方向弯曲衬底。在衬底弯曲的情况下，在衬底的一个主表面上淀积薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN102077319A | 申请公布日期 | 2011.05.25 |
| 申请号 | CN200980124509.4 | 申请日期 | 2009.06.25 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 桥本信;田边达也 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;C23C16/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 孙志湧;穆德骏 |
| 主权项 | 一种在衬底(10、11)的一个主表面上淀积薄膜(22、52、21、42、23、46、26、25、81、82)的膜淀积方法，包括如下的步骤：制备衬底(10、11)；相对于沿着所述一个主表面的方向弯曲所述衬底(10、11)；以及在所述衬底(10、11)弯曲的情况下，在所述衬底(10、11)的所述一个主表面上淀积薄膜(22、52、21、42、23、46、26、25、81、82)。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||