非易失性存储器与非易失性存储器的形成方法

摘要

本发明提供一种非易失性存储器，其位于一衬底上并包括：一隧穿层、一电荷捕捉复合层、一栅极以及一源极/漏极区。其中，隧穿层位于衬底上，电荷捕捉复合层位于隧穿层上，而栅极位于电荷捕捉复合层上方，源极/漏极区则位于隧穿层两侧的该衬底中。此具有电荷捕捉复合层的非易失性存储器，具有较佳的程序化、抹除化表现以及数据保持能力。此外，由于在形成电荷捕捉复合层，并不需要使用高热预算工艺因此可以降低工艺过程中的热预算。

主权项

一种非易失性存储器，位于一衬底上，其特征在于，该非易失性存储器包括：一隧穿层位于所述的衬底上；一电荷捕捉复合层位于所述的隧穿层上，其中该电荷捕捉复合层的材质至少包括一氮化物与一氮氧化物；一栅极位于所述的电荷捕捉复合层上方；以及一源极/漏极区位于所述的隧穿层两侧的衬底中；其中，所述的电荷捕捉复合层由一氮化硅层与一氮氧化硅层或由一氮化硅材质与一氮氧化硅材质所组成，所述的氮氧化硅层中，或所述的氮氧化硅材质中氧原子浓度为15％以内。