| 发明名称 | 半导体芯片和晶片堆叠封装件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体芯片和晶片堆叠封装件的制造方法，所述半导体芯片的制造方法包括以下步骤：在基底的前表面中形成第一通孔；利用第一导电材料在第一通孔中形成第一导电塞，第一导电塞包括在基底中的第一部分和从基底突出的第二部分；利用第二导电材料在第一导电塞的上表面上形成第二导电塞，第二导电塞的横截面面积小于第一导电塞；对基底的后表面进行背部减薄；在基底的经过背部减薄的后表面中形成第二通孔，第二通孔与第一通孔对准。 | ||
| 申请公布号 | CN102074497A | 申请公布日期 | 2011.05.25 |
| 申请号 | CN201010525017.0 | 申请日期 | 2010.10.27 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 黄善宽;李仁荣;李镐珍;张东铉 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/98(2006.01)I;H01L23/535(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 韩明星;王青芝 |
| 主权项 | 一种制造半导体芯片的方法，所述方法包括以下步骤：在基底的前表面中形成第一通孔；利用第一导电材料在第一通孔中形成第一导电塞，第一导电塞包括在基底中的第一部分和从基底突出的第二部分；利用第二导电材料在第一导电塞的上表面上形成第二导电塞，第二导电塞的横截面面积小于第一导电塞的横截面面积；对基底的后表面进行背部减薄；在基底的经过背部减薄的后表面中形成第二通孔，第二通孔与第一通孔对准。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||