一种空气隙石墨烯晶体管及其制备方法

摘要

本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体为一种空气隙石墨烯晶体管及其制备方法。先在硅衬底上生长栅电极、栅介质，并形成源、漏图形，再将石墨烯转移到已经形成的源、漏图形上，从而实现石墨烯与栅介质的隔离。利用空气隙将石墨烯和栅介质隔离开，可以免去石墨烯上的缓冲层生长工艺，最大程度地保留石墨烯中载流子的高迁移率，降低石墨烯表面特性的退化，从而进一步提高石墨烯器件的电学特性。

主权项

一种空气隙石墨烯晶体管，其特征在于包括：一个半导体衬底；位于所述半导体衬底上的第一绝缘体层；位于所述第一绝缘体层之上的栅电极；位于所述栅电极之上的第二绝缘体层；位于所述第二绝缘体层之上的源、漏电极；位于所述源、漏电极之上的石墨烯层；所述的石墨烯层与所述第二绝缘体层、所述栅电极通过空气隙相隔离。