| 主权项 |
一种抗反射涂层结构(二)，其包括有：一基板；一涂层模组，其形成于该基板之一前表面上，并且该涂层模组系由复数层碳矽化合物与含钛氧化物的混合物涂层与复数层金属涂层交替相叠而组成；以及一涂布于该涂层模组上表面的四周边缘之导电层，以供接地。如申请专利范围第1项所述之抗反射涂层结构(二)，其中该基板系为一塑胶薄膜。如申请专利范围第1项所述之抗反射涂层结构(二)，其中该基板系为一玻璃。如申请专利范围第1项所述之抗反射涂层结构(二)，其中该涂层模组系包括：一第一涂层，其形成于该基板之一前表面上；一第二涂层，其形成于该第一涂层上；一第三涂层，其形成于该第二涂层上；一第四涂层，其形成于该第三涂层上；一第五涂层，其形成于该第四涂层上；一第六涂层，其形成于该第五涂层上；一第七涂层，其形成于该第六涂层上；一第八涂层，其形成于该第七涂层上；以及一第九涂层，其形成于该第八涂层上；其中，该第一涂层、该第三涂层、该第五涂层、该第七涂层、及该第九涂层皆为碳矽化合物与含钛氧化物的混合物涂层，并且该第二涂层、该第四涂层、该第六涂层、及该第八涂层皆为金属涂层。如申请专利范围第4项所述之抗反射涂层结构(二)，其中该碳矽化合物系为碳化矽，该含钛氧化物系为二氧化钛，并且该等金属涂层系为银。如申请专利范围第4项所述之抗反射涂层结构(二)，其中该碳矽化合物与该含钛氧化物的比例系为40%：60%。如申请专利范围第4项所述之抗反射涂层结构(二)，其中该等混合物涂层的折射率系高于该等金属涂层。如申请专利范围第4项所述之抗反射涂层结构(二)，其中该第一涂层、该第三涂层、该第五涂层、该第七涂层、及该第九涂层的折射率皆为2.5，并且该第二涂层、该第四涂层、该第六涂层、及该第八涂层的折射率皆介于0.1~0.5之间。如申请专利范围第4项所述之抗反射涂层结构(二)，其中：该第一涂层的厚度系为30nm；该第二涂层的厚度系介于15nm；该第三涂层的厚度系为66nm；该第四涂层的厚度系介于15nm；该第五涂层的厚度系为60nm；该第六涂层的厚度系介于15nm；该第七涂层的厚度系为70nm；该第八涂层的厚度系介于15nm；以及该第九涂层的厚度系为40nm。一种抗反射涂层结构之制作方法(二)，其步骤包括有：提供一基板；形成一涂层模组于该基板之一前表面上，其中该涂层模组系由复数层碳矽化合物与含钛氧化物的混合物涂层与复数层金属涂层交替相叠而组成；设置一遮板于该涂层模组之上表面，其中该遮板的尺寸系小于该涂层模组，以使得该涂层模组的上表面之边缘曝露出来；以及涂布一层导电层于该涂层模组的上表面之边缘，以供接地。如申请专利范围第10项所述之抗反射涂层结构之制作方法(二)，其中该基板系为一塑胶薄膜。如申请专利范围第10项所述之抗反射涂层结构之制作方法(二)，其中该基板系为一玻璃。如申请专利范围第10项所述之抗反射涂层结构之制作方法(二)，其中该形成该涂层模组之步骤系包括：形成一第一涂层于该基板之该前表面上，其中该第一涂层系为碳矽化合物与含钛氧化物的混合物涂层；形成一第二涂层于该第一涂层上，其中该第二涂层系为金属涂层；形成一第三涂层于该第二涂层上，其中该第三涂层系为碳矽化合物与含钛氧化物的混合物涂层；形成一第四涂层于该第三涂层上，其中该第四涂层系为金属涂层；形成一第五涂层于该第四涂层上，其中该第五涂层系为碳矽化合物与含钛氧化物的混合物涂层；形成一第六涂层于该第五涂层上，其中该第六涂层系为金属涂层；形成一第七涂层于该第六涂层上，其中该第七涂层系为碳矽化合物与含钛氧化物的混合物涂层；形成一第八涂层于该第七涂层上，其中该第八涂层系为金属涂层；以及形成一第九涂层于该第八涂层上，其中该第九涂层系为碳矽化合物与含钛氧化物的混合物涂层。如申请专利范围第13项所述之抗反射涂层结构之制作方法(二)，其中该碳矽化合物系为碳化矽，该含钛氧化物系为二氧化钛，并且该等金属涂层系为银。如申请专利范围第13项所述之抗反射涂层结构之制作方法(二)，其中该碳矽化合物与该含钛氧化物的比例系为40%：60%。如申请专利范围第13项所述之抗反射涂层结构之制作方法(二)，其中该等混合物涂层的折射率系高于该等金属涂层。如申请专利范围第13项所述之抗反射涂层结构之制作方法(二)，其中该第一涂层、该第三涂层、该第五涂层、该第七涂层、及该第九涂层的折射率皆为2.5，并且该第二涂层、该第四涂层、该第六涂层、及该第八涂层的折射率皆介于0.1~0.5之间。如申请专利范围第13项所述之抗反射涂层结构之制作方法(二)，其中：该第一涂层的厚度系为30nm；该第二涂层的厚度系介于15nm；该第三涂层的厚度系为66nm；该第四涂层的厚度系介于15nm；该第五涂层的厚度系为60nm；该第六涂层的厚度系介于15nm；该第七涂层的厚度系为70nm；该第八涂层的厚度系介于15nm；以及该第九涂层的厚度系为40nm。 |
