发明名称 | 半导体元件的形成方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种半导体元件的形成方法,包括提供芯片及基板。在接合芯片及基板后,施加封装材料至基板与芯片之间。在上述接合及封装的步骤之间,维持基板及芯片的温度下限高于约两倍室温。半导体元件及基板不会因热膨胀系数差异导致收缩,可减少两者之间的应力。 | ||
申请公布号 | CN102064119A | 申请公布日期 | 2011.05.18 |
申请号 | CN201010113168.5 | 申请日期 | 2010.02.04 |
申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 普翰屏;林宗澍;陈承先 |
分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L25/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
代理机构 | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;高雪琴 |
主权项 | 一种半导体元件的形成方法,包括:提供一芯片及一基板;接合该芯片及该基板;以及接着施加一封装材料于该芯片与该基板之间;其中该芯片与该基板在接合该芯片与该基板的步骤至施加该封装材料的步骤之间保持一温度,且该温度的下限大于约两倍室温。 | ||
地址 | 中国台湾新竹市 |