一种衬底出光SiC衬底垂直结构发光管及制备方法

摘要

本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，涉及几种GaN基发光管及其制备方法。器件由衬底、衬底上外延生长的n型GaN缓冲层和下限制层2、GaN材料系多量子阱发光层3、p型GaN上限制层4、p型InxGa1-xN盖层5、上电极6，下电极7构成，特征在于：上电极6制备成兼有反射镜功能，在盖层5和上电极6之间生长一层p型InyGa1-yN位相匹配层8，衬底1是n型SiC单晶衬底，在衬底1下面制备一层ZnO薄膜9或再制备一层ZnO纳米线11，电极7只是覆盖5％～20％面积制备在衬底1下面。本发明利用SiC衬底晶格和GaN匹配较好，导电和导热性能都比较好，价格适中的优点，提供一种新型大功率SiC衬底垂直结构发光管及其制备方法。

主权项

一种衬底出光SiC衬底垂直结构发光管，依次由衬底(1)、衬底(1)上外延生长的n型GaN缓冲层和下限制层(2)、下限制层(2)上制备的GaN材料系多量子阱发光层(3)、发光层(3)上制备的p型GaN上限制层(4)、上限制层(4)上面制备的p型InGaN盖层(5)、盖层(5)上面制备的上电极(6)、衬底(1)下面制备的下电极(7)构成，其特征在于：上电极(6)制备成兼有反射镜功能，同时在盖层(5)和上电极(6)之间生长一层p型InyGa1‑yN位相匹配层(8)，上电极(6)全部覆盖在位相匹配层(8)的上面，衬底(1)是n型SiC单晶衬底，在衬底(1)的衬底面80～95％的面积上制备一层ZnO薄膜(9)，而在衬底(1)的衬底面其余的5～20％面积上制备下电极(7)。