发明名称 | 自旋转移矩存储器非破坏性自引用读取方法 | ||
摘要 | 描述了一种自旋转移矩存储装置和非破坏性自引用读取机制。一种自引用读取自旋转移矩存储单元的方法包括:施加通过磁性隧道结数据单元的第一读取电流;形成第一位线读取电压;并将第一位线读取电压存储在第一电压存储器件中。磁性隧道结数据单元具有第一阻抗状态。然后该方法包括:施加通过具有第一阻态的磁性隧道结数据单元的第二读取电流;形成第二位线读取电压;并将第二位线读取电压存储在第二电压存储器件中。第一读取电流小于第二读取电流。然后将存储的第一位线读取电压与存储的第二位线读取电压比较以判断磁隧道结数据单元的第一阻抗状态是高阻状态还是低阻状态。 | ||
申请公布号 | CN102067230A | 申请公布日期 | 2011.05.18 |
申请号 | CN200980123599.5 | 申请日期 | 2009.03.31 |
申请人 | 希捷科技有限公司 | 发明人 | Y·陈;H·李;H·刘;R·王;D·季米特洛夫 |
分类号 | G11C11/16(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/16(2006.01)I |
代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 姬利永;袁逸 |
主权项 | 一种非破坏性自引用读取自旋转移矩存储单元的方法,包括:施加通过磁隧道结数据单元的第一读取电流并形成第一位线读取电压,所述磁隧道结数据单元具有第一阻态;将所述第一位线读取电压存储在第一电压存储器件中;施加通过具有第一阻态的所述磁隧道结数据单元的第二读取电流并形成第二位线读取电压,所述第一读取电流小于第二读取电流;将所述第二位线读取电压存储在第二电压存储器件中;以及将存储的第一位线读取电压与存储的第二位线读取电压比较以判断所述磁隧道结数据单元的第一阻态是高阻态还是低阻态。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |