使用具有可重新编程电阻的纳米管制品的存储器阵列

摘要

一种存储器阵列包括多个存储器单元，每个单元接收位线、第一字线和第二字线。每个存储器单元包括单元选择电路，该电路允许存储器单元被选择。每个存储器单元还包括双端开关器件，该器件包括与纳米管制品电连通的第一和第二导电端子。存储器阵列还包括存储器操作电路，该电路可操作地耦合于每个单元的位线、第一字线和第二字线。该电路可通过激活适当的线来选择单元，并且可向适当的线施加电刺激来可重新编程地改变第一和第二端子之间纳米管制品的相对电阻。相对电阻对应于存储器单元的信息状态。

主权项

一种存储器阵列，包括：多个存储器单元，每个所述单元接收位线、第一字线和第二字线，每个所述存储器单元包括：单元选择电路，可操作地耦合于所述第一字线和所述位线，以响应于所述位线和所述第一字线中至少一个的激活而选择所述存储器单元；以及双端开关器件，仅仅包括第一导电端子和第二导电端子以对所述开关器件进行存取和编程，其中所述第一导电端子和第二导电端子的每一个都与一纳米管制品耦合，所述第一导电端子可操作地耦合于所述单元选择电路，而所述第二导电端子可操作地耦合于所述第二字线；以及存储器操作电路，可操作地耦合于每个所述单元的所述位线、所述第一字线和所述第二字线，所述操作电路包括一电路来激活所述位线和所述第一字线中至少一个来选择所述存储器单元来进行存取或编程，所述操作电路也包括编程电路以施加电刺激来对所述纳米管制品中的存储器状态进行编程，所述编程电路向所述位线、所述第一字线和所述第二字线中至少一个施加第一电刺激，其中所述第一电刺激将所述第一导电端子和第二导电端子之间的所述纳米管制品的电阻变成相对较高电阻，并且所述编程电路向所述位线、所述第一字线和所述第二字线中至少一个施加第二电刺激，其中所述第二电刺激将所述第一导电端子和第二导电端子之间的所述纳米管制品的电阻变成相对较低电阻，其中，所述纳米管制品的所述相对较高电阻对应于所述存储器单元的第一信息状态，而所述纳米管制品的所述相对较低电阻对应于所述存储器单元的第二信息状态。