发明名称 集成电路结构
摘要 本发明提供一种集成电路结构,其包括一第一工作件及一第二工作件。此第一工作件包含一铜凸块位于此第一工作件的主要表面上且具有一第一尺寸;及一含镍阻挡层,位于此铜凸块上并与其邻接。第二工作件与第一工作件接合,且此第二工作件包含一连接垫及一阻焊层位于此第二工作件的主要表面上,且此阻焊层具有一第二尺寸的阻焊开口以暴露一部分的此连接垫。第一尺寸对第二尺寸之比例大于约1。此外,一焊接区电性连接此铜凸块及此连接垫,且此连接垫及此铜凸块之间的垂直距离大于约30μm。本发明能使应力降低至某种程度,例如至产生破裂的临界点以下。
申请公布号 CN102064136A 申请公布日期 2011.05.18
申请号 CN201010530411.3 申请日期 2010.10.28
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 萧景文;庄曜群;陈承先;郭正铮;黄儒瑛
分类号 H01L23/00(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I 主分类号 H01L23/00(2006.01)I
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人 姜燕;陈晨
主权项 一种集成电路结构,包括:一第一工作件,包括:一铜凸块,位于该第一工作件的主要表面上,且在一平行于第一工作件的主要表面的第一平面中具有一第一尺寸:及一含镍阻挡层,位于该铜凸块上并与其邻接;一第二工作件,接合至该第一工作件上且包括:一连接垫,位于该第二工作件的主要表面上;一阻焊层,位于该第二工作件的主要表面,且具有一第二尺寸的阻焊开口,暴露一部分的该连接垫,其中该第二尺寸是以平行于该第二工作件的主要表面的一第二表面所测量,且其中该第一尺寸对该第二尺寸的比例大于约1;以及一焊接区,电性连接该铜凸块及该连接垫,其中该连接垫及该铜凸块之间的垂直距离大于约30μm。
地址 中国台湾新竹市