发明名称 发光二极管制造方法
摘要 本发明公开了一种发光二极管制造方法,该方法包括:提供衬底;在所述衬底上形成聚苯乙烯纳米球掩膜层;刻蚀聚苯乙烯纳米球掩膜层和衬底,直至聚苯乙烯纳米球掩膜层被完全刻蚀掉,以在衬底上形成多个微透镜结构或圆锥形结构;在衬底上方依次形成外延层、有源层和帽层。所述微透镜结构或圆锥形结构可以增加衬底对光的反射,提高发光二极管的外量子效率,从而提高发光二极管的光利用率;并且,由于形成了多个微透镜结构或圆锥形结构,可提高衬底与其它膜层的晶格匹配度,减小形成于衬底上的膜层的晶体缺陷,提高发光二极管的内量子效率,并可确保器件不易破裂;此外,本发明提供的发光二极管制造方法的工艺步骤简单。
申请公布号 CN102064245A 申请公布日期 2011.05.18
申请号 CN201010543382.4 申请日期 2010.11.12
申请人 西安神光安瑞光电科技有限公司 发明人 牛崇实;张翼德;尚青生
分类号 H01L33/00(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I 主分类号 H01L33/00(2010.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 郑玮
主权项 一种发光二极管制造方法,其特征在于,包括:提供衬底;在所述衬底上形成聚苯乙烯纳米球掩膜层;刻蚀所述聚苯乙烯纳米球掩膜层和衬底,直至所述聚苯乙烯纳米球掩膜层被完全刻蚀掉,以在所述衬底上形成多个微透镜结构;在所述衬底上方依次形成外延层、有源层和帽层。
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