发明名称 |
发光二极管制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种发光二极管制造方法,该方法包括:提供衬底;在所述衬底上形成聚苯乙烯纳米球掩膜层;刻蚀聚苯乙烯纳米球掩膜层和衬底,直至聚苯乙烯纳米球掩膜层被完全刻蚀掉,以在衬底上形成多个微透镜结构或圆锥形结构;在衬底上方依次形成外延层、有源层和帽层。所述微透镜结构或圆锥形结构可以增加衬底对光的反射,提高发光二极管的外量子效率,从而提高发光二极管的光利用率;并且,由于形成了多个微透镜结构或圆锥形结构,可提高衬底与其它膜层的晶格匹配度,减小形成于衬底上的膜层的晶体缺陷,提高发光二极管的内量子效率,并可确保器件不易破裂;此外,本发明提供的发光二极管制造方法的工艺步骤简单。 |
申请公布号 |
CN102064245A |
申请公布日期 |
2011.05.18 |
申请号 |
CN201010543382.4 |
申请日期 |
2010.11.12 |
申请人 |
西安神光安瑞光电科技有限公司 |
发明人 |
牛崇实;张翼德;尚青生 |
分类号 |
H01L33/00(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
郑玮 |
主权项 |
一种发光二极管制造方法,其特征在于,包括:提供衬底;在所述衬底上形成聚苯乙烯纳米球掩膜层;刻蚀所述聚苯乙烯纳米球掩膜层和衬底,直至所述聚苯乙烯纳米球掩膜层被完全刻蚀掉,以在所述衬底上形成多个微透镜结构;在所述衬底上方依次形成外延层、有源层和帽层。 |
地址 |
710100 陕西省西安市国家民用航天产业基地工业二路55号 |