Verformungsverstärkung in Transistoren, die eine eingebettete verformungsinduzierende Halbleiterlegierung besitzen, durch Kantenverrundung an der Oberseite der Gateelektrode

摘要

In Transistorelementen wird eine verformungsinduzierende Halbleiterlegierung in dem aktiven Gebiet mit einem geringeren Abstand zu dem Kanalgebiet eingebettet, indem eine Abstandshalterstruktur mit geringerer Breite verwendet wird. Um die Wahrscheinlichkeit des Erzeugens von Halbleiterresten auf der Oberseite der Gateelektrodenstruktur zu verringern, wird ein gewisser Grad an Kantenverrundung des Halbleitermaterials erzeugt, was bewerkstelligt werden kann mittels Ionenimplantation vor dem epitaktischen Aufwachsen des verformungsinduzierenden Halbleitermaterials. Dieses Konzept kann vorteilhaft mit dem Vorsehen von komplexen Metallgateelektroden mit großem ε kombiniert werden, die in einer frühen Fertigungsphase hergestellt werden.