| 摘要 |
<p>Gegenstand der Erfindung ist eine Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristalls aus Silizium durch Umschmelzen von Granulat, umfassend eine sich drehende Platte aus Silizium mit einer zentralen Öffnung und mit einer, die Öffnung umschließenden und sich unter die Platte erstreckenden, rohrförmigen Erweiterung aus Silizium; eine erste, über der Platte angeordnete Induktionsheizspule zum Schmelzen von Granulat; und eine zweite, unter der Platte angeordnete Induktionsheizspule zum Kristallisieren des geschmolzenen Granulats, wobei die zweite Induktionsheizspule auf ihrer, der Platte aus Silizium gegenüberliegenden Seite eine untere Schicht aus einem magnetisch leitenden Werkstoff und eine obere Schicht aufweist, in der mindestens ein Kühlkanal zum Durchleiten eines Kühlmittels vorhanden ist.</p> |
