| 发明名称 | 铜互连工艺中化学机械抛光的返工方法 | ||
| 摘要 | 一种铜互连工艺中化学机械抛光的返工方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底上形成有介质层，所述介质层内有开口，开口底部和侧壁覆盖有阻挡层，开口内填充有金属铜，所述半导体基底包括抛光残留区域，所述抛光残留区域的介质层上有残留的金属铜和阻挡层；使用对铜选择性较低的碱性抛光液对所述半导体基底进行第一阶段研磨；使用碱性的铜抛光液对所述半导体基底进行第二阶段研磨，至阻挡层；使用阻挡层抛光液对所述半导体基底进行第三阶段研磨，至露出介质层。与现有技术相比，本发明避免或减少了对成功抛光区域的误抛，提高了返工后半导体基底的电阻一致性。 | ||
| 申请公布号 | CN102054683A | 申请公布日期 | 2011.05.11 |
| 申请号 | CN200910198588.5 | 申请日期 | 2009.11.10 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 邓武锋 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/306(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种铜互连工艺中化学机械抛光的返工方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底上形成有介质层，所述介质层内有开口，开口底部和侧壁覆盖有阻挡层，开口内填充有金属铜，所述半导体基底包括抛光残留区域，所述抛光残留区域的介质层上有残留的金属铜和阻挡层；使用对铜选择性较低的碱性抛光液对所述半导体基底进行第一阶段研磨；使用碱性的铜抛光液对所述半导体基底进行第二阶段研磨，至阻挡层；使用阻挡层抛光液对所述半导体基底进行第三阶段研磨，至露出介质层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||