| 发明名称 | 氧化方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种氧化方法，提供一衬底，在衬底上形成N阱、隔离区和P阱，该方法还包括：采用离子注入工艺对P阱注入氯元素；采用能够与衬底表面发生化学反应的反应物，在衬底表面形成栅氧化层。采用该方法能够提高半导体器件的工作电流的均匀性。 | ||
| 申请公布号 | CN102054678A | 申请公布日期 | 2011.05.11 |
| 申请号 | CN200910198785.7 | 申请日期 | 2009.11.09 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 唐兆云 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 王一斌;王琦 |
| 主权项 | 一种氧化方法，提供一衬底，在衬底上形成N阱、隔离区和P阱，其特征在于，该方法还包括：采用离子注入工艺对P阱注入氯元素；采用能够与衬底表面发生化学反应的反应物，在衬底表面形成栅氧化层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||