| 发明名称 | 半导体集成电路 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种能够抑制由光邻近效应引起的栅长离差的半导体集成电路，包括：可激活的第一晶体管，由沿第一方向延伸的第一栅极和第一扩散区域形成；第二晶体管，由沿第一方向延伸的第二栅极和第二扩散区域形成，在与第一方向正交的第二方向上与第一晶体管邻近；以及沿第一方向延伸的第三栅极，在与第二晶体管相反的一侧，在第二方向上与第一晶体管相邻，第一栅极和第二栅极之间的间隔，比第一栅极和第三栅极之间的间隔大，在第一晶体管与第二晶体管之间具有非激活的第四晶体管，该第四晶体管具有沿上述第一方向延伸的第四栅极。 | ||
| 申请公布号 | CN101393911B | 申请公布日期 | 2011.05.11 |
| 申请号 | CN200810149908.3 | 申请日期 | 2006.06.30 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 当房哲朗;冈本奈奈;矢野纯一 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;G06F17/50(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 王茂华 |
| 主权项 | 一种半导体集成电路，其特征在于，包括：可激活的第一晶体管，由沿第一方向延伸的第一栅极和第一扩散区域形成；非激活的第二晶体管，具有沿上述第一方向延伸的第二栅极，且在与上述第一方向正交的第二方向上与上述第一晶体管相邻；以及第三晶体管，由沿上述第一方向延伸的第三栅极和第二扩散区域形成，且在与上述第一晶体管相反的一侧，在上述第二方向上与上述第二晶体管相邻；以及第四栅极，沿上述第一方向延伸，且在与上述第二晶体管相反的一侧，在上述第二方向上与上述第一晶体管相邻，其中，上述第一栅极和上述第三栅极之间的间隔比上述第一栅极和上述第四栅极之间的间隔大。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||