发明名称 一种高纯度C<sub>3</sub>S矿物的合成技术
摘要 本发明涉及一种高纯度C3S矿物的合成技术,将正硅酸乙酯加水进行水解,将正丙醇和Ca(NO3)2水溶液与水解的正硅酸乙酯溶液混合形成均匀的溶液,在催化剂硝酸作用下搅拌反应得到溶胶,并逐渐形成凝胶,经蒸发干燥后,将凝胶煅烧得到C3S矿物。采用本发明的技术所合成的C3S矿物,经X-射线衍射分析,在X-射线衍射图谱中发现C3S的特征峰非常明显,峰值强度高,而C2S和f-CaO的特征峰十分微弱,不甚明显。因此,采用本发明的技术合成的C3S矿物是高纯度的。通过比对标准粉末衍射卡片(PDF卡片),发现所得到的高纯度的C3S相最接近于单斜晶系。
申请公布号 CN101585542B 申请公布日期 2011.05.11
申请号 CN200910062820.2 申请日期 2009.06.25
申请人 武汉大学 发明人 何真;梁文泉
分类号 C01B33/24(2006.01)I 主分类号 C01B33/24(2006.01)I
代理机构 武汉天力专利事务所 42208 代理人 程祥;冯卫平
主权项 一种高纯度C3S矿物的合成方法,其特征在于:将正硅酸乙酯加水进行水解,将正丙醇和Ca(NO3)2水溶液与水解的正硅酸乙酯溶液混合形成均匀的溶液,在催化剂硝酸作用下搅拌反应得到溶胶,并逐渐形成凝胶,经蒸发干燥后,将凝胶以4℃/min的升温速度开始第一次煅烧,当温度升至200℃时,恒温1h,继续升温至900℃,恒温1h,再继续升温至1300~1400℃,恒温2h,于室温下冷却得固状物;将烧成的固状物研成粉磨于制样机上加压成型为圆饼状,置于高温电阻炉内以4℃/min的升温速度开始第二次煅烧,温度升至1000℃时,恒温1h,继续升温至1300~1500℃,恒温0.5h,于室温下冷却得到白色固体即为C3S矿物成品。
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